華科智源大功率IGBT靜態參數測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發電，焊機行業的IGBT來料選型和失效分析。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。

大功率IGBT靜態參數測試儀

產品介紹

深圳市華科智源科技有限公司是一家專業從事功率半導體測試系統自主研發制造與綜合測試分析服務的高新技術企業，坐落于改革開放之都-中國深圳，業務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產，公司產品主要涉及SMT檢測儀，MOS管直流參數測試儀，MOS管動態參數測試儀，IGBT動態參數測試系統，IGBT靜態參數測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風力發電檢修用IGBT測試儀。HUSTEC-1200A-MT電參數測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I  特性測試 ， 大功率IGBT靜態參數測試儀廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ，風力發電 ，變頻器， 焊機行業的  IGBT來料選型和失效分析。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。

主要特點

A：測量多種IGBT、MOS管 

B：最大脈沖電流1200A，電壓5KV，大功率測試

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測量精度2mV

E：Vce測量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護被測量器件

H：上位機攜帶數據庫功能

I：MOS IGBT內部二極管壓降 

測試項目
A：ICES  集電極-發射極漏電流
B：IGESF 正向柵極漏電流  IGESR 反向柵極漏電流
C：BVCES 集電極-發射極擊穿電壓
D：VGETH 柵極-發射極閾值電壓
E：VCESAT 集電極-發射極飽和電壓
F：ICON 通態電極電流
G：VGEON 通態柵極電壓
H：VF 二極管正向導通壓降

Vce-Ic特征曲線

Vgth-Vce特征曲線