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產(chǎn)品分類

Cassification

華科智源半導(dǎo)體測(cè)試

二極管浪涌電流測(cè)試儀雪崩能量測(cè)試儀 IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái) MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

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IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)

IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)雙脈沖測(cè)試平臺(tái)主要是通過特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開通，并測(cè)量過程中各種動(dòng)態(tài)參數(shù)，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數(shù)差異，是評(píng)估 FRD 和 IGBT 二十多種動(dòng)態(tài)參數(shù)重要測(cè)量手段。同時(shí)也是功率元件驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路參數(shù)調(diào)整和驗(yàn)證的測(cè)量平臺(tái)。

產(chǎn)品型號(hào)：PT-1224
廠商性質(zhì)：代理商
更新時(shí)間：2025-06-12
訪問量：2537

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聯(lián)系電話：13421301530

詳細(xì)介紹

品牌	其他品牌	價(jià)格區(qū)間	面議
應(yīng)用領(lǐng)域	能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,汽車及零部件,電氣	電壓范圍	0～1000VDC
加熱范圍	室溫～200℃	測(cè)試電流	0～2400A
負(fù)載電感	50uH100uH200uH500uH	脈寬調(diào)制范圍	5～400us
脈寬顯示屏	4 寸

IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)

主要作用

1.測(cè)試對(duì)比不同 IGBT 的參數(shù)；

2.評(píng)估驅(qū)動(dòng)的功能和性能；

3.獲取 IGBT 在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評(píng)估 Rgon 及 Rgoff 的數(shù)值是否合適；

4.開通、關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；

5.評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全余量；

6.IGBT 關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩；

7.評(píng)估 IGBT 并聯(lián)的均流特性；

8.測(cè)量母排和系統(tǒng)的雜散電感。

9.可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封裝；如特殊封裝可以定制開發(fā)適配版。

IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)技術(shù)參數(shù)

開通參數(shù)	關(guān)斷參數(shù)	Frd 反向恢復(fù)參數(shù)
開通最大尖峰電流 Ic peak max	關(guān)斷最大尖峰電壓 Vce-peak max	最大反向恢復(fù)電流 IRM
開通時(shí)間 Ton	關(guān)斷時(shí)間 Toff	反向恢復(fù)損耗 Erec
開通延遲 Td-on	關(guān)斷延遲 Td-off	反向恢復(fù)時(shí)間 Trr
開通電壓變化率 dv/dt-on	關(guān)斷電壓變化率 dv/dt-off	反向恢復(fù)電荷 Qrr
開通電流變化率 di/dt-on	關(guān)斷電流變化率 di/dt-off	反向恢復(fù)峰值功耗 Prr-peak
開通電壓下降時(shí)間 tf-v-on	關(guān)斷電壓上升時(shí)間 tr-v-off	前沿電流變化率 di/dt-r
開通電流上升時(shí)間 tr-i-on	關(guān)斷電流下降時(shí)間 tf-i-off	后沿電流變化率 di/dt-f
開通損耗 Eon	Ic 拖尾電流值 It	反向恢復(fù)電壓變化率 dv/dt-rr
	Ic 拖尾時(shí)間 Tt	最大反向恢復(fù)尖峰電壓 Vrr-peak
	關(guān)斷損耗 Eoff

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